リチウムイオンパワーウォール

通常、結晶シリコン太陽電池は、引き上げまたは鋳造されたシリコン インゴットから切り出された、厚さ 350～450 μm の高品質シリコン ウェーハ上に製造されます。{0}

上記の方法では、実際にはより多くのシリコン材料が消費されます。材料を節約するため、現在、多結晶シリコン薄膜セルの製造には化学気相成長法 (CVD) が最も一般的に使用されています。これには、低圧化学気相成長法 (LPCVD) やプラズマ化学気相成長法 (PECVD) が含まれます。-液相エピタキシー (LPPE) やスパッタリング蒸着も、多結晶シリコン薄膜セルの製造に使用できます。-。

CVD では主に、反応ガスとして SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、または SiH4 が使用されます。保護雰囲気下では、シリコン原子が反応してシリコン原子を形成し、加熱された基板上に堆積されます。基板材料には通常、Si、SiO2、Si3N4 が含まれます。しかし、研究によると、非-基板上に大きな粒子を形成するのは難しく、粒子間に隙間ができやすいことがわかっています。

この問題の解決策は、まず LPCVD を使用して基板上にアモルファス シリコンの薄層を堆積し、次にこの層をアニールしてより大きな粒子を生成することです。次に、厚い多結晶シリコン薄膜がこの種結晶上に堆積されます。したがって、再結晶技術は間違いなく重要なステップです。現在使用されている主な技術は、固相結晶化と中間ゾーン溶融再結晶化です。-再結晶プロセスに加えて、多結晶シリコン薄膜電池では、単結晶シリコン太陽電池の製造に使用されるほぼすべての技術が利用されています。-これにより、得られる太陽電池の変換効率が大幅に向上します。